2026-10-22 拓墣产业研究院

3种Bumpless Bonding技术比较

图表资料先进封测与设备材料

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摘要

受惠于台积电SoIC-X封装在AI晶片中的渗透率提升，Hybrid Bonder在先进Foundry厂的订单量提升；然Hybrid Bonding成本高昂，且对无尘室洁净度要求极高，因此K&S也于2025年6月提出Cu-Cu TCB的论文，美国MIT Lincoln Laboratory则在2026年5月发表Bumpless Flip-Chip的论文，寻找比Hybrid Bonding更低成本的Bumpless Bonding技术。

本篇报告主要深度解析：(1) Die Bonder技术演进；(2)不同Bumpless Bonding技术比较；(3) Fluxless TCB、Bumpless Bonding市场展望。期能解析从Micro Bump演进到Bumpless的不同Die Bonder技术路线、不同Bumpless Bonding技术原理与效能，以及主要Die Bonder厂商布局。

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